Substrato SiC di tipo N 4H

In qualità di produttore e fornitore professionale di substrato SiC di tipo 4H N in Cina, Vetek Semiconductor substrato SiC di tipo 4H N mira a fornire tecnologie avanzate e soluzioni di prodotto per l'industria dei semiconduttori. Il nostro wafer SiC di tipo 4H N è attentamente progettato e realizzato con elevata affidabilità per soddisfare i requisiti esigenti dell'industria dei semiconduttori. Accogliamo con favore le vostre ulteriori richieste.

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Descrizione del prodotto

Vetek SemiconduttoreSubstrato SiC di tipo N 4Hi prodotti hanno eccellenti proprietà elettriche, termiche e meccaniche, quindi questo prodotto è ampiamente utilizzato nella lavorazione di dispositivi a semiconduttore che richiedono elevata potenza, alta frequenza, alta temperatura ed elevata affidabilità.

L'intensità del campo elettrico di rottura del SiC di tipo 4H N è pari a 2,2-3,0 MV/cm. Questa caratteristica del prodotto consente la produzione di dispositivi più piccoli per gestire tensioni più elevate, quindi il nostro substrato SiC di tipo 4H N viene spesso utilizzato per produrre MOSFET, Schottky e JFET.

La conduttività termica del wafer SiC di tipo 4H N è di circa 4,9 W/cm·K, il che aiuta a dissipare efficacemente il calore, ridurre l'accumulo di calore, prolungare la durata del dispositivo ed è adatto per applicazioni ad alta densità di potenza.

Inoltre, il wafer SiC di tipo N 4H di Vetek Semiconductor può comunque avere prestazioni elettroniche stabili a temperature fino a 600°C, quindi viene spesso utilizzato per produrre sensori ad alta temperatura ed è molto adatto per ambienti estremi.

Facendo crescere uno strato epitassiale di carburo di silicio su un substrato di carburo di silicio di tipo n, il wafer omoepitassiale di carburo di silicio può essere ulteriormente trasformato in dispositivi di potenza come SBD, MOSFET, IGBT, ecc., che vengono utilizzati nei veicoli elettrici, nel trasporto ferroviario, ad alta -trasmissione e trasformazione di potenza, ecc.

Vetek Semiconduttorecontinua a perseguire una qualità dei cristalli e di lavorazione più elevata per soddisfare le esigenze dei clienti. Attualmente sono disponibili sia prodotti da 6 pollici che da 8 pollici. Di seguito sono riportati i parametri di base del prodotto del substrato SIC da 6 pollici e 8 pollici:

Substrato SiC di tipo N da 6 pollici SPECIFICHE BASE DEL PRODOTTO:

Substrato SiC di tipo N da 8 pollici SPECIFICHE BASE DEL PRODOTTO:

Metodo e terminologia di rilevamento del substrato SiC di tipo 4H N:

Tag caldi: Substrato SiC di tipo N 4H, Cina, Produttore, Fornitore, Fabbrica, Personalizzato, Substrato SiC di tipo N da 6 lnch, Substrato SiC di tipo N da 8 lnch, Made in China

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