Substrato SiC di tipo semi isolante 4H

Il SiC semi isolante Vetek Semiconductor 4H svolge molteplici ruoli chiave nel processo di lavorazione dei semiconduttori. Combinato con l'elevata resistività, l'elevata conduttività termica, l'ampio intervallo di banda e altre proprietà, è ampiamente utilizzato nei campi ad alta frequenza, alta potenza e alta temperatura, in particolare nelle applicazioni a microonde e RF. È un prodotto componente indispensabile nel processo di produzione dei semiconduttori.

La resistività del substrato SiC di tipo semi isolante 4H di Vetek Semiconductor è solitamente compresa tra 10^6 Ω·cm e 10^9 Ω·cm. Questa elevata resistività può sopprimere le correnti parassite e ridurre le interferenze del segnale, soprattutto nelle applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza. Ancora più importante, l'elevata resistività del substrato SiC di tipo 4H SI ha una corrente di dispersione estremamente bassa ad alta temperatura e alta pressione, che può garantire la stabilità e l'affidabilità del dispositivo.

L'intensità del campo elettrico di rottura del substrato SiC di tipo 4H SI è pari a 2,2-3,0 MV/cm, il che determina che il substrato SiC di tipo 4H SI può sopportare tensioni più elevate senza guasti, quindi il prodotto è molto adatto per lavorare in condizioni di condizioni di alta tensione e alta potenza. Ancora più importante, il substrato SiC di tipo SI 4H ha un ampio gap di banda di circa 3,26 eV, quindi il prodotto può mantenere eccellenti prestazioni di isolamento ad alta temperatura e alta tensione e ridurre il rumore elettronico.

Inoltre, la conduttività termica del substrato SiC di tipo 4H SI è di circa 4,9 W/cm·K, quindi questo prodotto può ridurre efficacemente il problema dell'accumulo di calore nelle applicazioni ad alta potenza e prolungare la durata del dispositivo. Adatto per dispositivi elettronici in ambienti ad alta temperatura.

Facendo crescere uno strato epitassiale GaN su un substrato semi-isolante di carburo di silicio, il wafer epitassiale GaN a base di carburo di silicio può essere ulteriormente trasformato in dispositivi a radiofrequenza a microonde come HEMT, che vengono utilizzati nella comunicazione delle informazioni, nel rilevamento radio e in altri campi.

Vetek Semiconductor persegue costantemente una qualità dei cristalli e di lavorazione più elevata per soddisfare le esigenze dei clienti. Attualmente sono disponibili prodotti da 4 pollici e 6 pollici e sono in fase di sviluppo prodotti da 8 pollici. 

Substrato SiC semiisolante SPECIFICHE BASE DEL PRODOTTO:

Substrato SiC semiisolante SPECIFICHE DELLA QUALITÀ DEL CRISTALLO:

Metodo e terminologia di rilevamento del substrato SiC di tipo semi isolante 4H: