riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicio

Semiconduttore VeTek Riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di siliciocombina l'eccellente conduttività elettrica e termica della grafite con la resistenza alle alte temperature, alla corrosione e all'usura del rivestimento ceramico al carbonio e silicio ed è progettato per ambienti difficili di produzione di semiconduttori. 

Riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicioviene utilizzato principalmente nelle apparecchiature di rivestimento sotto vuoto (evaporazione) e i metodi comunemente utilizzati sono PCD (essiccazione chimica al plasma) e PVD (deposizione fisica da vapore). Questo prodotto ha svolto un ruolo importante nella promozione del progresso tecnologico e nel miglioramento dell'efficienza produttiva nell'industria dei semiconduttori.Siamo sinceramente lieti di ulteriore collaborazione con voi.

Il materiale e le caratteristiche strutturali del riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicio sono i seguenti:

Substrato di grafite: La grafite è nota per la sua elevata conduttività termica e il basso coefficiente di dilatazione termica. Può rispondere rapidamente ai cambiamenti di temperatura e mantenere la stabilità strutturale alle alte temperature.

Rivestimento ceramico al carbonio silicio: Il rivestimento SiC viene rivestito uniformemente sulla superficie della grafite mediante deposizione chimica di vapori o altri processi avanzati. Il SiC ha una durezza e una resistenza alla corrosione chimica estremamente elevate, che possono proteggere il substrato di grafite dall'ossidazione ad alta temperatura e dagli ambienti corrosivi.

Determina lo speciale design strutturale del prodotto del riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicioi vantaggi insostituibili di questo prodotto nel processo di lavorazione dei semiconduttori:

Riscaldamento efficiente e uniforme:

Conduttività termica: L'elevata conduttività termica della grafite consente al riscaldatore di raggiungere e mantenere rapidamente la temperatura richiesta, mentre il rivestimento SiC garantisce una distribuzione uniforme del calore. Ciò è particolarmente importante per i processi dei semiconduttori che richiedono un controllo preciso della temperatura, come il trattamento termico rapido (RTP) e la deposizione chimica in fase vapore (CVD).

Uniformità della temperatura: Attraverso la distribuzione uniforme del calore, il riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicio può ridurre efficacemente lo stress termico e il gradiente di temperatura, garantendo la consistenza e la stabilità della qualità dei wafer semiconduttori durante tutto il processo di riscaldamento.

Protezione anticorrosione:

Resistenza chimica: La resistenza alla corrosione chimica del rivestimento SiC consente al riscaldatore di funzionare stabilmente e per lungo tempo in ambienti chimici e gas corrosivi, evitando danni al substrato di grafite. Questa caratteristica è particolarmente critica in processi quali la deposizione chimica da fase vapore (CVD) e la deposizione chimica da fase vapore potenziata dal plasma (PECVD).

Resistenza all'ossidazione: A temperature elevate, il rivestimento SiC può prevenire l'ossidazione del substrato di grafite, prolungare la durata del riscaldatore e ridurre la frequenza e i costi di manutenzione delle apparecchiature.

Ridurre la contaminazione da particelle:

Stabilità della superficie: Il rivestimento SiC non solo è resistente all'usura, ma impedisce anche alle particelle di cadere dalla superficie del materiale a causa di cicli termici o reazioni chimiche, riducendo così il rischio di contaminazione da particelle che può verificarsi durante la produzione di semiconduttori e garantendo un ambiente di processo altamente pulito.

Migliorare l’affidabilità e l’efficienza del processo:

Design di lunga durata: Grazie alla combinazione della resistenza meccanica della grafite e della resistenza all'usura del rivestimento SiC, il riscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicio può mantenere un funzionamento ad alta efficienza per lungo tempo in condizioni di processo difficili, migliorando significativamente l'affidabilità complessiva dell'apparecchiatura.

Utilizzo efficiente dell'energia: L'elevata conduttività termica della grafite e la stabilità alle alte temperature del rivestimento SiC consentono al riscaldatore di ridurre il consumo energetico migliorando al tempo stesso la precisione del controllo della temperatura, migliorando così l'efficienza complessiva della produzione di semiconduttori.

Proprietà fisiche di base diRiscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicio:

Semiconduttore VeTekRiscaldatore in grafite con rivestimento ceramico in carburo di silicionegozi:

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

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