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Suscettore per ricottura termica rapida
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Suscettore per ricottura termica rapida

VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader nel settore dei suscettori per ricottura termica rapida in Cina. Siamo specializzati in materiali di rivestimento SiC da molti anni. Offriamo suscettori per ricottura termica rapida di alta qualità, resistenza alle alte temperature, super sottile. Vi diamo il benvenuto a visitare il nostro fabbrica in Cina.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore per ricottura termica rapida VeTek Semiconductor è di alta qualità e lunga durata, non esitare a contattarci.

La ricottura termica rapida (RTA) è un sottoinsieme cruciale del trattamento termico rapido utilizzato nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore. Prevede il riscaldamento dei singoli wafer per modificarne le proprietà elettriche attraverso vari trattamenti termici mirati. Il processo RTA consente l'attivazione di droganti, l'alterazione delle interfacce del substrato film-film o film-wafer, la densificazione dei film depositati, la modifica degli stati dei film cresciuti, la riparazione dei danni da impianto ionico, il movimento dei droganti e il passaggio dei droganti tra i film o nel substrato del wafer.

Il prodotto VeTek Semiconductor, il suscettore di ricottura termica rapida, svolge un ruolo vitale nel processo RTP. È costruito utilizzando materiale di grafite di elevata purezza con un rivestimento protettivo di carburo di silicio inerte (SiC). Il substrato in silicio rivestito in SiC può resistere a temperature fino a 1100°C, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni estreme. Il rivestimento SiC fornisce un'eccellente protezione contro le perdite di gas e la dispersione di particelle, garantendo la longevità del prodotto.

Per mantenere un controllo preciso della temperatura, il chip è incapsulato tra due componenti di grafite ad elevata purezza rivestiti con SiC. È possibile ottenere misurazioni precise della temperatura tramite sensori ad alta temperatura integrati o termocoppie a contatto con il substrato.


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura di cristallo FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità 3,21 g/cm³
Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2~10μm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Resistenza alla flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica 300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1


Negozio di produzione di semiconduttori VeTek


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:


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