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Novità del settore

Secondo quanto riferito, le aziende cinesi stanno sviluppando chip da 5 nm con Broadcom!

Secondo notizie estere, due fonti hanno rivelato il 24 giugno che ByteDance sta lavorando con la società statunitense di progettazione di chip Broadcom per sviluppare un processore informatico avanzato di intelligenza artificiale (AI), che aiuterà ByteDance a garantire un'adeguata fornitura di chip ......

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Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: La messa in produzione dei chip SiC da 8 pollici è prevista per dicembre!

In qualità di produttore leader nel settore SiC, le dinamiche correlate di Sanan Optoelectronics hanno ricevuto un'attenzione diffusa nel settore. Recentemente, Sanan Optoelectronics ha rivelato una serie di sviluppi più recenti, tra cui la trasformazione da 8 pollici, la produzione in fabbrica di n......

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Applicazione di parti in grafite rivestite con TaC in forni monocristallini

Nella crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN utilizzando il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti cruciali come il crogiolo, il supporto del seme e l'anello di guida svolgono un ruolo vitale. Come illustrato nella Figura 2 [1], durante il processo PVT, il cristallo seme è pos......

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Diversi percorsi tecnici del forno di crescita epitassiale SiC

I substrati di carburo di silicio presentano molti difetti e non possono essere lavorati direttamente. Su di essi è necessario far crescere uno specifico film sottile monocristallino attraverso un processo epitassiale per produrre wafer di chip. Questo film sottile è lo strato epitassiale. Quasi tut......

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Materiale dell'epitassia del carburo di silicio

Il materiale dello strato epitassiale di carburo di silicio è il carburo di silicio, che viene solitamente utilizzato per produrre dispositivi elettronici e LED ad alta potenza. È ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori grazie alla sua eccellente stabilità termica, resistenza meccani......

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Caratteristiche dell'epitassia del silicio

Elevata purezza: lo strato epitassiale di silicio cresciuto mediante deposizione chimica in fase vapore (CVD) ha una purezza estremamente elevata, una migliore planarità superficiale e una densità di difetti inferiore rispetto ai wafer tradizionali.

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