Caratteristiche dell'epitassia del silicio

Le caratteristiche dell'epitassia del silicio sono le seguenti:

Elevata purezza: lo strato epitassiale di silicio cresciuto mediante deposizione chimica in fase vapore (CVD) ha una purezza estremamente elevata, una migliore planarità superficiale e una densità di difetti inferiore rispetto ai wafer tradizionali.

Uniformità del film sottile: l'epitassia del silicio può formare un film sottile molto uniforme con un certo tasso di crescita garantito. Allo stesso tempo, è possibile ottenere l'uniformità del riscaldamento, riducendo così i difetti della struttura cristallina e migliorando la qualità del cristallo.

Forte controllabilità: la tecnologia dell'epitassia del silicio può controllare accuratamente la morfologia, le dimensioni e la struttura dei materiali in silicio e può far crescere strutture cristalline complesse, come eterogiunzioni multistrato.

Grande diametro del wafer: la tecnologia di crescita epitassiale del silicio può far crescere wafer di silicio di grande diametro e la capacità di produrre wafer di silicio di grande diametro è fondamentale per la produzione di semiconduttori.

Affidabilità del processo: il processo epitassiale del silicio può essere riutilizzato più volte, il che è di grande importanza per la produzione in serie di dispositivi a semiconduttore.