La piastra portante per incisione PSS per semiconduttori di VeTek Semiconductor è un supporto in grafite ultrapura e di alta qualità progettato per i processi di gestione dei wafer. I nostri trasportatori hanno prestazioni eccellenti e possono funzionare bene in ambienti difficili, temperature elevate e condizioni di pulizia chimica difficili. I nostri prodotti sono ampiamente utilizzati in molti mercati europei e americani e non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
In qualità di produttore professionale, vorremmo fornirvi una piastra portante per incisione PSS di alta qualità per semiconduttori. La piastra portante per incisione PSS per semiconduttori di VeTek Semiconductor è un componente specializzato utilizzato nell'industria dei semiconduttori per il processo di incisione PSS (spettroscopia con sorgente al plasma). Questa piastra svolge un ruolo cruciale nel supportare e trasportare i wafer semiconduttori durante il processo di incisione. Benvenuti a contattarci!
Design di precisione: la piastra portante è progettata con dimensioni precise e planarità della superficie per garantire un'incisione uniforme e coerente sui wafer semiconduttori. Fornisce una piattaforma stabile e controllata per i wafer, consentendo risultati di incisione accurati e affidabili.
Resistenza al plasma: la piastra portante mostra un'eccellente resistenza al plasma utilizzato nel processo di incisione. Rimane inalterato dai gas reattivi e dal plasma ad alta energia, garantendo una durata operativa prolungata e prestazioni costanti.
Conduttività termica: la piastra portante presenta un'elevata conduttività termica per dissipare in modo efficiente il calore generato durante il processo di incisione. Ciò aiuta a mantenere un controllo ottimale della temperatura e previene il surriscaldamento dei wafer semiconduttori.
Compatibilità: la piastra portante per incisione PSS è progettata per essere compatibile con varie dimensioni di wafer semiconduttori comunemente utilizzate nel settore, garantendo versatilità e facilità d'uso in diversi processi di produzione.
Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD | |
Proprietà | Valore tipico |
Struttura di cristallo | FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111). |
Densità | 3,21 g/cm³ |
Durezza | Durezza 2500 Vickers (carico 500 g) |
Granulometria | 2~10μm |
Purezza chimica | 99,99995% |
Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
Conduttività termica | 300W·m-1·K-1 |
Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |