Notizia

Cos'è la crescita epitassiale controllata a gradini?

I problemi nel processo di incisione

La tecnologia di incisione nella produzione di semiconduttori incontra spesso problemi come l'effetto di caricamento, l'effetto di micro-scanalatura e l'effetto di carica, che influiscono sulla qualità del prodotto. Le soluzioni di miglioramento includono l'ottimizzazione della densità del plasma, l......

Cos'è la ceramica SiC pressata a caldo?

La sinterizzazione con pressatura a caldo è il metodo principale per preparare ceramiche SiC ad alte prestazioni. Il processo di sinterizzazione con pressatura a caldo comprende: selezione di polvere SiC di elevata purezza, pressatura e stampaggio ad alta temperatura e alta pressione, quindi sinteri......

Applicazione di materiali per campi termici a base di carbonio nella crescita dei cristalli di carburo di silicio

I principali metodi di crescita del carburo di silicio (SiC) includono PVT, TSSG e HTCVD, ciascuno con vantaggi e sfide distinti. I materiali del campo termico a base di carbonio come i sistemi di isolamento, i crogioli, i rivestimenti TaC e la grafite porosa migliorano la crescita dei cristalli for......

Perché il rivestimento SiC riceve così tanta attenzione? - Semiconduttore VeTek

Il SiC ha elevata durezza, conduttività termica e resistenza alla corrosione, che lo rendono ideale per la produzione di semiconduttori. Il rivestimento CVD SiC viene creato attraverso la deposizione chimica da vapore, fornendo elevata conduttività termica, stabilità chimica e una costante reticolar......

Perché il 3C-SiC si distingue tra molti polimorfi SiC? - Semiconduttore VeTek

Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad alta precisione noto per le sue eccellenti proprietà come resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione ed elevata resistenza meccanica. Ha oltre 200 strutture cristalline, di cui 3C-SiC è l'unico tipo cubico, offrendo sferi......