Conosci il suscettore MOCVD?

Nel processo di deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD), il sucettore è un componente chiave responsabile del supporto del wafer e di garantire l'uniformità e il controllo preciso del processo di deposizione. La selezione del materiale e le caratteristiche del prodotto influiscono direttamente sulla stabilità del processo epitassiale e sulla qualità del prodotto.

Accettore MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) è un componente di processo chiave nella produzione di semiconduttori. Viene utilizzato principalmente nel processo MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) per supportare e riscaldare il wafer per la deposizione di film sottile. Il design e la selezione dei materiali del sucettore sono cruciali per l'uniformità, l'efficienza e la qualità del prodotto finale.

Tipo di prodotto e selezione del materiale:

Il design e la selezione dei materiali del suscettore MOCVD sono diversi, generalmente determinati dai requisiti di processo e dalle condizioni di reazione.Di seguito sono riportati i tipi di prodotti comuni e i relativi materiali:

Suscettore rivestito in SiC(Suscettore rivestito in carburo di silicio):

Descrizione: Suscettore con rivestimento SiC, con grafite o altri materiali ad alta temperatura come substrato e rivestimento CVD SiC (rivestimento CVD SiC) sulla superficie per migliorarne la resistenza all'usura e alla corrosione.

Applicazione: ampiamente utilizzato nei processi MOCVD in ambienti con gas ad alta temperatura e altamente corrosivi, in particolare nell'epitassia del silicio e nella deposizione di semiconduttori composti.

Suscettore rivestito in TaC:

Descrizione: Il suscettore con rivestimento TaC (rivestimento CVD TaC) come materiale principale ha durezza e stabilità chimica estremamente elevate ed è adatto per l'uso in ambienti estremamente corrosivi.

Applicazione: utilizzato nei processi MOCVD che richiedono maggiore resistenza alla corrosione e resistenza meccanica, come la deposizione di nitruro di gallio (GaN) e arseniuro di gallio (GaAs).

Suscettore in grafite rivestito in carburo di silicio per MOCVD:

Descrizione: Il substrato è in grafite e la superficie è ricoperta da uno strato di rivestimento CVD SiC per garantire stabilità e lunga durata alle alte temperature.

Applicazione: adatto per l'uso in apparecchiature come i reattori Aixtron MOCVD per la produzione di materiali semiconduttori compositi di alta qualità.

Recettore EPI (recettore epitassia):

Descrizione: Suscettore appositamente progettato per il processo di crescita epitassiale, solitamente con rivestimento SiC o rivestimento TaC per migliorarne la conduttività termica e la durata.

Applicazione: nell'epitassia del silicio e nell'epitassia dei semiconduttori composti, viene utilizzato per garantire il riscaldamento e la deposizione uniformi dei wafer.

Ruolo principale del suscettore per MOCVD nell'elaborazione dei semiconduttori:

Supporto wafer e riscaldamento uniforme:

Funzione: il suscettore viene utilizzato per supportare i wafer nei reattori MOCVD e fornire una distribuzione uniforme del calore attraverso il riscaldamento a induzione o altri metodi per garantire una deposizione uniforme della pellicola.

Conduzione del calore e stabilità:

Funzione: la conduttività termica e la stabilità termica dei materiali del suscettore sono cruciali. Il suscettore rivestito in SiC e il suscettore rivestito in TaC possono mantenere la stabilità nei processi ad alta temperatura grazie alla loro elevata conduttività termica e resistenza alle alte temperature, evitando difetti del film causati da temperature irregolari.

Resistenza alla corrosione e lunga durata:

Funzione: nel processo MOCVD, il suscettore è esposto a vari gas precursori chimici. Il rivestimento SiC e il rivestimento TaC forniscono un'eccellente resistenza alla corrosione, riducono l'interazione tra la superficie del materiale e il gas di reazione e prolungano la durata del suscettore.

Ottimizzazione dell'ambiente di reazione:

Funzione: Utilizzando suscettori di alta qualità, il flusso di gas e il campo di temperatura nel reattore MOCVD vengono ottimizzati, garantendo un processo di deposizione della pellicola uniforme e migliorando la resa e le prestazioni del dispositivo. Viene solitamente utilizzato nei suscettori per reattori MOCVD e apparecchiature Aixtron MOCVD.

Caratteristiche del prodotto e vantaggi tecnici：

Elevata conduttività termica e stabilità termica:

Caratteristiche: I suscettori rivestiti in SiC e TaC hanno una conduttività termica estremamente elevata, possono distribuire il calore in modo rapido e uniforme e mantenere la stabilità strutturale alle alte temperature per garantire un riscaldamento uniforme dei wafer.

Vantaggi: adatto per processi MOCVD che richiedono un controllo preciso della temperatura, come la crescita epitassiale di semiconduttori composti come il nitruro di gallio (GaN) e l'arseniuro di gallio (GaAs).

Eccellente resistenza alla corrosione:

Caratteristiche: Il rivestimento CVD SiC e il rivestimento CVD TaC hanno un'inerzia chimica estremamente elevata e possono resistere alla corrosione di gas altamente corrosivi come cloruri e fluoruri, proteggendo il substrato del suscettore da eventuali danni.

Vantaggi: prolungare la durata del suscettore, ridurre la frequenza di manutenzione e migliorare l'efficienza complessiva del processo MOCVD.

Elevata resistenza meccanica e durezza:

Caratteristiche: L'elevata durezza e resistenza meccanica dei rivestimenti SiC e TaC consentono al Susceptor di resistere allo stress meccanico in ambienti ad alta temperatura e alta pressione e di mantenere stabilità e precisione a lungo termine.

Vantaggi: particolarmente adatto per processi di produzione di semiconduttori che richiedono elevata precisione, come la crescita epitassiale e la deposizione di vapori chimici.

Applicazione di mercato e prospettive di sviluppo

Suscettori MOCVDsono ampiamente utilizzati nella produzione di LED ad alta luminosità, dispositivi elettronici di potenza (come HEMT basati su GaN), celle solari e altri dispositivi optoelettronici. Con la crescente domanda di dispositivi a semiconduttore con prestazioni più elevate e consumo energetico inferiore, la tecnologia MOCVD continua ad avanzare, guidando l'innovazione nei materiali e nei design dei suscettori. Ad esempio, sviluppando una tecnologia di rivestimento SiC con maggiore purezza e minore densità di difetti e ottimizzando il design strutturale di Susceptor per adattarsi a wafer più grandi e processi epitassiali multistrato più complessi.

VeTek semiconductor Technology Co., LTD è un fornitore leader di materiali di rivestimento avanzati per l'industria dei semiconduttori. la nostra azienda si concentra sullo sviluppo di soluzioni all'avanguardia per il settore.

La nostra offerta di prodotti principali comprende rivestimenti CVD in carburo di silicio (SiC), rivestimenti in carburo di tantalio (TaC), SiC sfuso, polveri SiC e materiali SiC di elevata purezza, suscettore in grafite rivestito in SiC, anelli di preriscaldamento, anello di deviazione rivestito in TaC, parti a mezzaluna, ecc. ., la purezza è inferiore a 5 ppm, può soddisfare le esigenze dei clienti.

VeTek semiconductor si concentra sullo sviluppo di tecnologie all'avanguardia e soluzioni di sviluppo prodotto per l'industria dei semiconduttori. Speriamo sinceramente di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.