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Suscettore a barilotto rivestito in SiC CVD
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Suscettore a barilotto rivestito in SiC CVD

VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader di suscettori cilindrici rivestiti in SiC CVD in Cina. Il nostro suscettore cilindrico rivestito in SiC CVD svolge un ruolo chiave nel promuovere la crescita epitassiale dei materiali semiconduttori sui wafer con le sue eccellenti caratteristiche del prodotto. Benvenuti alla vostra ulteriore consultazione.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore a barilotto rivestito CVD SiC a semiconduttore VeTek è progettato su misura perprocessi epitassialinella produzione di semiconduttori ed è la scelta ideale per migliorare la qualità e la resa del prodotto. Questa base del suscettore a barilotto con rivestimento SiC adotta una solida struttura in grafite ed è rivestita con precisione con uno strato SiC diProcesso CVD, che gli conferisce un'eccellente conduttività termica, resistenza alla corrosione e resistenza alle alte temperature e può far fronte efficacemente all'ambiente difficile durante la crescita epitassiale.


Perché scegliere il semiconduttore VeTek CVD SiC rivestitoRicevitore a canna?


Riscaldamento uniforme per garantire la qualità dello strato epitassiale: L'eccellente conduttività termica del rivestimento SiC garantisce una distribuzione uniforme della temperatura sulla superficie del wafer, riducendo efficacemente i difetti e migliorando la resa del prodotto.

Prolungare la durata della base: ILRivestimento SiCha un'eccellente resistenza alla corrosione e resistenza alle alte temperature, che può prolungare efficacemente la durata della base e ridurre i costi di produzione.

Migliorare l'efficienza produttiva: Il design del cilindro ottimizza il processo di caricamento e scaricamento dei wafer e migliora l'efficienza produttiva.

Applicabile a una varietà di materiali semiconduttori: Questa base può essere ampiamente utilizzata nella crescita epitassiale di una varietà di materiali semiconduttori come SiC eGaN.


Vantaggi del suscettore a barilotto rivestito in SiC CVD:


 ●Eccellenti prestazioni termiche: L'elevata conduttività termica e la stabilità termica garantiscono la precisione del controllo della temperatura durante la crescita epitassiale.

 ●Resistenza alla corrosione: Il rivestimento SiC può resistere efficacemente all'erosione delle alte temperature e dei gas corrosivi, prolungando la durata della base.

 ●Alta resistenza: La base in grafite fornisce un solido supporto per garantire la stabilità del processo epitassiale.

 ●Servizio personalizzato: VeTek semiconductor può fornire servizi personalizzati in base alle esigenze del cliente per soddisfare le diverse esigenze di processo.


DATI SEM DELLA STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC:


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria
2~10μm
Purezza chimica
99,99995%
Capacità termica
640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione
2700 ℃
Resistenza alla flessione
415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young
Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica
300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)
4,5×10-6K-1

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